Conference Paper

Nesta comunicação investiga-se o efeito da temperatura na resposta em frequência de fotodíodos p-i-n. O modelo de simulação é bastante geral e permite analisar situações em que o perfil do campo eléctrico na região de absorção é arbitrário e a iluminação não é uniforme. A simulação numérica da resposta em frequência dos fotodíodos p-i-n inicia-se dividindo a região de absorção num dado número de camadas. De seguida resolvem-se, para cada camada, as equações da continuidade admitindo que a velocidade dos portadores é constante. Deste modo é possível descrever cada camada através dum conjunto de coeficientes associados à sua resposta em frequência e que irão ser adequadamente combinados por forma a obter os correspondentes coeficientes relativos a toda a estrutura. Estes coeficientes são depois utilizados para obter a resposta em frequência do dispositivo. O efeito da temperatura é introduzido no coeficiente de absorção do material e na velocidade de deriva dos portadores. O aumento de temperatura aumenta o coeficente de absorção e faz diminuir a velocidade de deriva dos portadores. A diminuição da largura de banda com o aumento de temperatura permite concluir que o efeito dominante associado às variações de temperatura é o da alteração das velocidades de deriva.